三星等入股ASML:远紫外光刻意义何在
2012-08-29 14:34:31 来源:TechWeb 评论:0 点击:
【搜狐IT消息】北京时间8月28日消息,据国外媒体报道,智能手机和其他设备的智能化程度越来越高,但如果计算机芯片制造过程中一项关键技术不能很快得到升级,这种情况就可能会发生改变。
芯片为电子产品提供数据处理、数据存储和其他能力,因此,改进芯片是使电子产品尺寸更小、速度更快和价格更低所必需的。
工程师在单位晶圆上集成了越来越多的晶体管,但小型化的速度——即摩尔定律面临着重大障碍。当前的光刻工艺被认为无法蚀刻本年代晚些时候的芯片所需要的更小的电路。
在开发被称作远紫外光刻工艺方面,芯片厂商遇到了麻烦。据估计,基于远紫外光刻工艺的工具的价格是当前工具的2倍,超过1亿美元,而且其制造芯片的速度不适合大规模生产。
改进远紫外光刻工艺的进一步跳票会在未来数年波及电子产品行业,使得许多芯片制造商因成本太高无法生产更先进的芯片,放慢智能手机和计算机发展的进程。
市场研究公司RealWorldTechnologies首席分析师大卫·坎特(DavidKanter)说,“如果远紫外光刻工艺没有得到改进,整个产业也不会因此崩溃,但发展肯定会受到影响。”
对于芯片制造商而言,远紫外光刻工艺意义十分重大,它们已经在远紫外光刻工艺及开发商ASML投资了数十亿美元。英特尔最近公布了对ASML投资41亿美元的计划,台积电和三星分别计划对ASML投资约14亿和约9.75亿美元。
问题是,当前的光刻系统使用的光线波长大于晶体管尺寸,就像是利用过于粗大的毛笔划细线。
芯片厂商已经采取许多措施,延长现有技术的寿命,其中包括利用液体以及类似多次曝光的技术提高图像分辨率。通过产生波长远小于现有光刻工具的光线,远紫外光刻工艺提供了相当于更细的毛笔的光线。
但远紫外光刻技术有自己的问题。由于波长更短,远紫外光线能被包括空气在内的几乎所有物体吸收,因此只能在真空中产生和使用。
迄今为止,困扰ASML的是其系统中的光线强度。ASML没有披露现有的工具每小时能处理晶圆的数量,但分析师认为这一数字在20-30之间。分析师指出,要被业界厂商广泛采用,远紫外光刻系统需要每小时处理约100块晶圆。
为ASML的远紫外光刻系统开发光源的Cymer表示,过去一年半,该公司已经将光线的功率提高了约10倍,增加了每小时能处理的晶圆数量。Cymer营销和光刻技术副总裁奈杰尔·法勒(NigelFarrar)称,该公司计划再次将光线功率提高10倍,然后再提高1倍或2倍。
ASML高级技术主管诺琳·哈尼德(NoreenHarned)表示,远紫外光刻工艺要到2014年才能用于大规模芯片生产。
尽管远紫外光刻工艺的研究仍然在进行中,芯片厂商在采取措施尽可能地延长当前工艺的寿命。作为远紫外光刻工艺一旦不成功的应对措施,它们还在考虑可替代性技术。英特尔先进光刻技术主管雁·波洛多夫斯基(YanBorodovsky)说,“无论远紫外光刻技术是否成功,我们都会实现自己的技术目标。”
一种替代性技术是定向自组装(以下简称“DSA”)。DSA技术的研发处于早期阶段,但专家已经看到这项技术的前景。尼康高管多尼斯·弗拉戈罗(DonisFlagello)说,该公司在对其设备进行修改,使之更适合DSA工艺。尼康没有提供远紫外光刻工具,专注于开发用于处理新一代尺寸更大的晶圆的工具,以降低每块芯片的制造成本。
弗拉戈罗说,“远紫外光刻工艺成本很高,我们不能确定,如果不使用尺寸更大的晶圆,客户使用远紫外光刻工艺是否有意义。”
迄今为止的投资情况显示,业界对远紫外光刻工艺寄予最高的希望,以推动摩尔定律的发展。内存芯片厂商美光CEO马克·杜尔坎(MarkDurcan)说,“我坚信ASML能开发成功远紫外光刻工艺。在我看来,远紫外光刻工艺开发成功只是一个时间问题。”(阳光)
芯片为电子产品提供数据处理、数据存储和其他能力,因此,改进芯片是使电子产品尺寸更小、速度更快和价格更低所必需的。
工程师在单位晶圆上集成了越来越多的晶体管,但小型化的速度——即摩尔定律面临着重大障碍。当前的光刻工艺被认为无法蚀刻本年代晚些时候的芯片所需要的更小的电路。
在开发被称作远紫外光刻工艺方面,芯片厂商遇到了麻烦。据估计,基于远紫外光刻工艺的工具的价格是当前工具的2倍,超过1亿美元,而且其制造芯片的速度不适合大规模生产。
改进远紫外光刻工艺的进一步跳票会在未来数年波及电子产品行业,使得许多芯片制造商因成本太高无法生产更先进的芯片,放慢智能手机和计算机发展的进程。
市场研究公司RealWorldTechnologies首席分析师大卫·坎特(DavidKanter)说,“如果远紫外光刻工艺没有得到改进,整个产业也不会因此崩溃,但发展肯定会受到影响。”
对于芯片制造商而言,远紫外光刻工艺意义十分重大,它们已经在远紫外光刻工艺及开发商ASML投资了数十亿美元。英特尔最近公布了对ASML投资41亿美元的计划,台积电和三星分别计划对ASML投资约14亿和约9.75亿美元。
问题是,当前的光刻系统使用的光线波长大于晶体管尺寸,就像是利用过于粗大的毛笔划细线。
芯片厂商已经采取许多措施,延长现有技术的寿命,其中包括利用液体以及类似多次曝光的技术提高图像分辨率。通过产生波长远小于现有光刻工具的光线,远紫外光刻工艺提供了相当于更细的毛笔的光线。
但远紫外光刻技术有自己的问题。由于波长更短,远紫外光线能被包括空气在内的几乎所有物体吸收,因此只能在真空中产生和使用。
迄今为止,困扰ASML的是其系统中的光线强度。ASML没有披露现有的工具每小时能处理晶圆的数量,但分析师认为这一数字在20-30之间。分析师指出,要被业界厂商广泛采用,远紫外光刻系统需要每小时处理约100块晶圆。
为ASML的远紫外光刻系统开发光源的Cymer表示,过去一年半,该公司已经将光线的功率提高了约10倍,增加了每小时能处理的晶圆数量。Cymer营销和光刻技术副总裁奈杰尔·法勒(NigelFarrar)称,该公司计划再次将光线功率提高10倍,然后再提高1倍或2倍。
ASML高级技术主管诺琳·哈尼德(NoreenHarned)表示,远紫外光刻工艺要到2014年才能用于大规模芯片生产。
尽管远紫外光刻工艺的研究仍然在进行中,芯片厂商在采取措施尽可能地延长当前工艺的寿命。作为远紫外光刻工艺一旦不成功的应对措施,它们还在考虑可替代性技术。英特尔先进光刻技术主管雁·波洛多夫斯基(YanBorodovsky)说,“无论远紫外光刻技术是否成功,我们都会实现自己的技术目标。”
一种替代性技术是定向自组装(以下简称“DSA”)。DSA技术的研发处于早期阶段,但专家已经看到这项技术的前景。尼康高管多尼斯·弗拉戈罗(DonisFlagello)说,该公司在对其设备进行修改,使之更适合DSA工艺。尼康没有提供远紫外光刻工具,专注于开发用于处理新一代尺寸更大的晶圆的工具,以降低每块芯片的制造成本。
弗拉戈罗说,“远紫外光刻工艺成本很高,我们不能确定,如果不使用尺寸更大的晶圆,客户使用远紫外光刻工艺是否有意义。”
迄今为止的投资情况显示,业界对远紫外光刻工艺寄予最高的希望,以推动摩尔定律的发展。内存芯片厂商美光CEO马克·杜尔坎(MarkDurcan)说,“我坚信ASML能开发成功远紫外光刻工艺。在我看来,远紫外光刻工艺开发成功只是一个时间问题。”(阳光)
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