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东芝推出搭载高效静电放电保护、用于驱动LED前照灯的小型MOSFET
2018-03-28 13:36:39   来源:国际文传   评论:0 点击:

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”,该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用,包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。
 

此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20180326005358/en/

100V的最大漏源极电压(VDSS)可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用,高静电放电抗扰度为这一能力提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造,使用 TSOP6F封装,具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外,TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。

应用场合

  • 汽车LED前照灯驱动器

特点

  • 小型封装
  • 高效静电放电保护
  • 低RDS(ON)

 

主要规格

(@Ta=25℃)

项目
(Ta=25℃)

 

SSM6N813R

绝对最大额定值

 

漏源极电压
VDSS (V)

 

100

 

栅源极电压
VGSS (V)

 

+/-20

 

漏极电流
ID (A)

 

3.5

电气特性

 

漏源极导通电阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)

 

VGS=10V

 

112

   

VGS=4.5V

 

154

 

输入电容
Ciss典型值(pF)

 

242

封装

 

TSOP6F

 

2.9mm×2.8mm;t=0.8mm

 

有关东芝最新小型低导通电阻MOSFET的更多信息,请访问如下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html

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东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一体。自2017年7月成为一家独立公司以来,我们已跻身领先的通用设备公司之列并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

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原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20180326005358/en/

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东芝:搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”,该产品适用于汽车应用,包括LED前照灯驱动器IC。(照片:美国商业资讯)

东芝:搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”,该产品适用于汽车应用,包括LED前照灯驱动器IC。(照片:美国商业资讯)

东芝:双MOSFET“SSM6N813R”标记电路和等效电路(图示:美国商业资讯)

东芝:双MOSFET“SSM6N813R”标记电路和等效电路(图示:美国商业资讯)


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